.

Đề tốt nghiệp Ngoại ngữ sẽ có phần thi viết

.

Sáng 6-3, Thứ trưởng Bộ Giáo dục Nguyễn Vinh Hiển cho biết Bộ đã quyết định đề thi môn Ngoại ngữ gồm cả hai phần trắc nghiệm và viết.

Đề thi Ngoại ngữ kỳ thi THPT quốc gia 2015 gồm hai phần trắc nghiệm và viết. Ảnh minh họa: Quý Đoàn.
Đề thi Ngoại ngữ kỳ thi THPT quốc gia 2015 gồm hai phần trắc nghiệm và viết. Ảnh minh họa.

Thứ trưởng Nguyễn Vinh Hiển cho biết, khi công bố về một kỳ thi chung, Bộ Giáo dục đã thông tin đề thi năm 2015 sẽ kế thừa những thành công, ưu điểm của kỳ thi tốt nghiệp THPT năm trước, chuyển hướng theo đánh giá năng lực thí sinh.

Theo đó, kỳ thi THPT quốc gia sẽ có những câu hỏi dạng mở đòi hỏi thí sinh sử dụng kiến thức, kỹ năng tổng hợp và kinh nghiệm sống để giải quyết vấn đề chứ không yêu cầu máy móc nhớ số liệu, sự kiện hay trả lời theo khuôn mẫu. Như vậy sẽ tránh được tình trạng học tủ, học vẹt như trước đây.

"Năm ngoái đề thi tốt nghiệp môn Ngoại ngữ đã có phần thi viết và thu được kết quả khả quan. Đề thi chỉ yêu cầu viết một đoạn văn với những tiêu chí đơn giản để đánh giá cách dùng từ ngữ, khả năng viết câu... của thí sinh chứ chưa phải là viết một bài luận với yêu cầu cao. Năm nay, đề thi THPT quốc gia cũng chỉ kế thừa điều này chứ không có gì mới mẻ", Thứ trưởng nói.

Trước đó, dù nhiều thí sinh thể hiện sự lo lắng khi đề thi dự định có thêm môn tự luận, nhưng Trưởng phòng Đào tạo Đại học Ngoại ngữ (Đại học Quốc gia Hà Nội), cô Hà Lê Kim Anh cho rằng bổ sung vào đề thi Ngoại ngữ phần tự luận là phù hợp với mục tiêu tìm kiếm học sinh có khả năng ngoại ngữ và tư duy tốt. Khi học trong trường phổ thông, song song với học từ vựng, các em vẫn được học ngữ pháp, viết luận... Vì vậy, nếu nói là bất ngờ thì không đúng vì luận vẫn là thi viết, các em đã được làm quen.

Hơn nữa, theo cô Kim Anh, phần thi tự luận chỉ chiếm phần rất nhỏ nên chỉ có tác dụng chọn lọc chứ không ảnh hưởng nhiều đến kết quả thi của thí sinh. Về cơ bản đề thi vẫn là học gì thi nấy, nên cô Kim Anh khuyên học trò bình tĩnh để ôn thi cho tốt.

Theo VnExpress

;
.
.
.
.
.