Gửi bình luận
Samsung chính thức áp dụng công nghệ pin silicon carbon trên dải Galaxy Z thế hệ mới, giúp gia tăng dung lượng pin đồng thời thu gọn độ mỏng của thiết bị.
Samsung đã chính thức gia nhập cuộc đua công nghệ pin silicon carbon thế hệ mới với việc trang bị công nghệ này trên bộ ba thiết bị màn hình gập: Galaxy Z Fold8, Z Fold8 Ultra và Z Flip8. Bước tiến này giúp giải quyết bài toán cốt lõi giữa thời lượng sử dụng và thiết kế mỏng nhẹ trên smartphone gập.
Khác với lõi pin lithium-ion truyền thống đã dần đạt tới giới hạn vật lý, pin silicon carbon sở hữu mật độ năng lượng cao hơn đáng kể. Việc đưa vật liệu silicon vào cực âm giúp viên pin tích trữ được nhiều điện năng hơn trong cùng một thể tích không gian.
Mặc dù một số thương hiệu smartphone đã triển khai công nghệ này từ năm 2023, Samsung đã tiến hành nghiên cứu và hoàn thiện giải pháp riêng từ năm 2025 trước khi đưa lên các dòng máy thương mại cao cấp.
Ưu thế về mật độ năng lượng cho phép Samsung nâng cao dung lượng pin trên các dòng máy gập dạng quyển sổ mà không làm gia tăng độ dày hay trọng lượng của thiết bị.
Phiên bản Galaxy Z Fold8 Ultra sở hữu viên pin dung lượng 5.000mAh, trong khi bản Galaxy Z Fold8 tiêu chuẩn đạt 4.800mAh. Đây là mức tăng đáng kể so với dung lượng 4.400mAh của thế hệ Galaxy Z Fold7 tiền nhiệm, đáp ứng tốt hơn nhu cầu xử lý đa nhiệm và vận hành liên tục.
Đối với mẫu máy gập vỏ sò Galaxy Z Flip8, Samsung sử dụng ưu thế của pin silicon carbon theo hướng tối ưu kích thước. Dung lượng pin được giữ ở mức 4.300mAh nhưng thể tích viên pin giảm xuống, giúp giải phóng không gian bên trong khung máy.
Nhờ đó, độ dày của Galaxy Z Flip8 khi gập lại được giảm xuống còn 13,1mm, mỏng hơn so với mức 13,7mm trên thế hệ cũ, hỗ trợ khả năng cầm nắm gọn gàng hơn.
| Thông số | Galaxy Z Flip8 | Galaxy Z Fold8 | Galaxy Z Fold8 Ultra |
|---|---|---|---|
| Màn hình chính | 6,9 inch Dynamic AMOLED 2X, 120Hz | 7,6 inch Dynamic AMOLED 2X, 120Hz | 8,0 inch Dynamic AMOLED 2X, 3000 nits |
| Vi xử lý | Exynos 2600 (3nm) | Snapdragon 8 Elite Gen 5 for Galaxy | Snapdragon 8 Elite Gen 5 for Galaxy (3nm) |
| Dung lượng pin | 4.300 mAh | 4.800 mAh (Sạc nhanh 45W) | 5.000 mAh (Sạc nhanh 45W) |
| Camera chính | 50 MP | 50 MP | 200 MP |
Việc thương mại hóa thành công pin silicon carbon trên dòng thiết bị gập mở ra khả năng chuẩn hóa công nghệ này trên toàn bộ hệ sinh thái phần cứng của hãng.
Công nghệ pin mới dự kiến sẽ tiếp tục được triển khai trên các dòng sản phẩm tiếp theo như Galaxy S, Galaxy A, Galaxy M và Galaxy F series, góp phần nâng cao thời lượng sử dụng chung cho các thiết bị di động trong tương lai.