Samsung Galaxy S26 FE lộ diện với thay đổi lớn ở mô-đun camera sau, đi kèm dự đoán về chip xử lý Exynos 2500 và màn hình OLED từ đối tác mới.
Những hình ảnh rò rỉ mới nhất về ốp lưng của Galaxy S26 FE đã hé lộ ngôn ngữ thiết kế mới mà Samsung dự kiến áp dụng cho dòng smartphone cận cao cấp này. Đây là phiên bản kế nhiệm của Galaxy S25 FE, tập trung vào việc tinh chỉnh ngoại hình để tăng độ nhận diện thương hiệu so với thế hệ tiền nhiệm.
Dựa trên các hình ảnh từ phụ kiện, Galaxy S26 FE vẫn duy trì phong cách thiết kế đối xứng và tinh tế đặc trưng của dòng Fan Edition. Tuy nhiên, điểm cải tiến đáng chú ý nhất nằm ở cụm camera phía sau. Thay vì các ống kính đặt riêng lẻ như hiện nay, thiết bị sẽ chuyển sang sử dụng mô-đun hình viên thuốc chứa toàn bộ hệ thống thấu kính.

Việc gom cụm camera vào một mô-đun thống nhất giúp Galaxy S26 FE trông hiện đại và dễ phân biệt hơn. Phía bên trong mô-đun này là hệ thống ba camera được xếp dọc, đi kèm đèn flash LED được bố trí ngay bên cạnh.

Về tổng thể, máy vẫn sử dụng màn hình đục lỗ chính giữa để chứa camera selfie, mang lại không gian hiển thị rộng rãi. Cạnh phải của thiết bị là nơi đặt phím nguồn và cụm phím tăng giảm âm lượng. Ở cạnh dưới, Samsung vẫn duy trì cách bố trí quen thuộc bao gồm cổng sạc USB-C, khe cắm SIM và dải loa ngoài, đảm bảo tính tiện dụng trong quá trình vận hành hằng ngày.
Bên cạnh những thay đổi về ngoại hình, Galaxy S26 FE được dự đoán sẽ mang lại bước nhảy vọt về hiệu năng. Các báo cáo kỹ thuật cho thấy Samsung có thể trang bị chip Exynos 2500 cho mẫu máy này, một bản nâng cấp so với Exynos 2400 trên dòng S25 FE hiện tại.
| Thông số dự kiến | Galaxy S26 FE |
|---|---|
| Chip xử lý | Exynos 2500 |
| Bộ nhớ RAM | 8GB |
| Hệ điều hành | Android 17 |
| Tấm nền màn hình | OLED (BOE cung cấp) |

Đáng lưu ý, Samsung có thể sẽ sử dụng tấm nền OLED từ BOE thay vì Samsung Display để tối ưu hóa chi phí sản xuất. Điều này cho thấy chiến lược mới của hãng trong việc cân bằng giữa giá thành và cấu hình nhằm tăng sức cạnh tranh trong phân khúc smartphone cận cao cấp.